電化學拋光是以被拋光工件為陽極,不溶性金屬為陰極,兩電極同時浸入電化學拋光槽中,通以直流電而產生有選擇性的陽極溶解,陽極表面光亮度增大,這種過程與電鍍過程正好相反。


 電化學拋光機理-黏性薄膜理論如下。拋光主要是陽極電極過程和表面磷酸鹽膜共同作用的結果。從陽極溶解下來的金屬離子與拋光液中的磷酸形成溶解度小,黏性大、擴散速率小的磷酸鹽,并慢慢地積累在陽極附近,粘接在陽極表面,形成了黏滯性較大的電解液層。密度大、導電能力差的黏膜在微觀表面上分布不均勻,從而影響了電流密度在陽極上的分布。很明顯,黏膜在微觀凸起處比凹洼處的厚度小,使凸起處的電流密度較高而溶解速率較快。隨著黏膜的流動,凸凹位置的不斷變換,粗糙表面逐漸整平。不銹鋼表面因此被拋光達到高度光潔和光澤的外觀。


 由此可見,溶(rong)液(ye)濃(nong)(nong)度(du)(du)和黏(nian)度(du)(du)是(shi)個重要(yao)因(yin)素,特別是(shi)溶(rong)液(ye)的黏(nian)度(du)(du),往往表現在(zai)新(xin)配(pei)的拋(pao)光(guang)液(ye)雖然(ran)組分濃(nong)(nong)度(du)(du)達到了要(yao)求(qiu),但由于黏(nian)度(du)(du)尚未達到要(yao)求(qiu)而拋(pao)不(bu)光(guang),只有(you)在(zai)經過(guo)一段時間的電解后(hou)(hou)才開(kai)始拋(pao)光(guang)良好。特別是(shi)溶(rong)液(ye)與零(ling)件(jian)的界面(mian)濃(nong)(nong)度(du)(du)和黏(nian)度(du)(du),在(zai)拋(pao)光(guang)中起著重要(yao)作用。這就是(shi)為什么要(yao)求(qiu)零(ling)件(jian)在(zai)進入拋(pao)光(guang)液(ye)前(qian)表面(mian)水(shui)膜要(yao)均勻(yun),否(fou)則零(ling)件(jian)表面(mian)帶水(shui)膜的不(bu)均勻(yun)性,破(po)壞了黏(nian)膜的正常(chang)生成,發生局部過(guo)腐蝕(shi)現象。水(shui)洗后(hou)(hou)的零(ling)件(jian)最好甩干后(hou)(hou)迅速下槽,這樣通電拋(pao)光(guang)后(hou)(hou),表面(mian)過(guo)腐蝕(shi)現象即可避免。


 電化學(xue)拋(pao)光(guang)(guang)還不能完全取代機(ji)械拋(pao)光(guang)(guang)。電化學(xue)拋(pao)光(guang)(guang)只是對金屬(shu)表面上(shang)起微(wei)觀整(zheng)平(ping)作用。宏(hong)觀的(de)整(zheng)平(ping)要靠(kao)機(ji)械拋(pao)光(guang)(guang)。電化學(xue)拋(pao)光(guang)(guang)對材(cai)料化學(xue)成(cheng)分的(de)不均勻性和(he)顯微(wei)偏析特(te)別(bie)敏感(gan),使金屬(shu)基體和(he)非金屬(shu)夾雜物(wu)之間常被(bei)劇(ju)烈浸蝕,有(you)時(shi),有(you)不良(liang)(liang)的(de)冶(ye)金狀態,金屬(shu)晶粒(li)尺(chi)寸結構的(de)不均勻性、軋制(zhi)痕(hen)跡、鹽類或(huo)氧化物(wu)的(de)污染、酸洗過(guo)度以(yi)及淬火過(guo)度等(deng)均會對電化學(xue)拋(pao)光(guang)(guang)產生不良(liang)(liang)影響(xiang)。這些缺(que)陷常常要靠(kao)先期的(de)機(ji)械拋(pao)光(guang)(guang)來彌補。


電化(hua)學拋(pao)光(guang)與手工(gong)機(ji)械拋(pao)光(guang)相比,能發揮下(xia)列優點:


 ①. 產品內外(wai)色(se)澤一致,清(qing)潔光(guang)亮,光(guang)澤持久,外(wai)觀輪廓清(qing)晰;


 ②. 螺(luo)(luo)紋(wen)中的毛刺(ci)在電(dian)解過程中溶解脫落(luo),螺(luo)(luo)紋(wen)間配(pei)合(he)松滑,防止螺(luo)(luo)紋(wen)間咬時的咬死現(xian)象;


 ③. 拋(pao)光(guang)面抗(kang)腐蝕性(xing)能增強;


 ④. 與機械拋光相比,生(sheng)產效率高,生(sheng)產成本(ben)低。