化學氣相沉積(CVD)工藝技術特點
化(hua)學氣(qi)(qi)相沉積(CVD)是(shi)用化(hua)學方法(fa)使反應(ying)氣(qi)(qi)體在零件(jian)基材表(biao)面發生(sheng)化(hua)學反應(ying)而形(xing)成覆蓋層的(de)(de)方法(fa)。通常(chang)CVD是(shi)在高溫(800~1000℃)和(he)常(chang)壓或低(di)壓下進行的(de)(de),沉積裝置如圖3-13所示。 a.反應(ying)氣(qi)(qi)體向工(gong)件(jian)表(biao)面擴散(san)并被吸附。 b.吸收工(gong)件(jian)表(biao)面的(de)(de)各(ge)種...